型号:APTM120DA56T1G | 类别:FET | 制造商:Microsemi Power Products Group |
封装:SP1 | 描述:MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 |
详细参数
类别 | FET |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 |
系列 | - |
制造商 | Microsemi Power Products Group |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 18A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 672 毫欧 @ 14A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5V @ 2.5mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 300nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 7736pF @ 25V |
功率_最大 | 390W |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP1 |
供应商设备封装 | SP1 |
包装 | 散装 |
供应商
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